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IRL3103D1
MOSFET Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
?
––– R G = 3.4 ?, V GS =4.5V
V (BR)DSS
? V (BR)DSS / ? T J
R DS(on)
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
30
–––
–––
–––
1.0
23
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.037
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
9.0
210
20
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
––– V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA ?
0.014 V GS = 10V, I D = 34A ?
0.019 V GS = 4.5V, I D = 28A ?
––– V V DS = V GS , I D = 250μA
––– S V DS = 25V, I D = 32A ?
0.10 V DS = 30V, V GS = 0V
mA
22 V DS = 24V, V GS = 0V, T J = 125°C
100 V GS = 16V
nA
-100 V GS = -16V
43 I D = 32A
14 nC V DS = 24V
23 V GS = 4.5V, See Fig. 6 ?
––– V DD = 15V
––– I D = 32A
ns
t f
Fall Time
–––
54
––– R D = 0.43 ?,
??
L D
Internal Drain Inductance
–––
4.5
–––
nH
Between lead,
6mm (0.25in.)
D
L S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
from package
and center of die contact
G
S
C iss
C oss
C rss
C iss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Input Capacitance
–––
–––
–––
–––
1900
810
240
3500
––– V GS = 0V
––– V DS = 25V
pF
––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5
––– V GS = 0V, V DS = 0V
Body Diode & Schottky Diode Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
integral reverse
I F (AV)
I SM
( Schottky)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
––– –––
––– –––
2.0
220
A
MOSFET symbol
showing the
G
p-n junction and Schottky diode.
D
S
V SD1
V SD2
t rr
Q rr
t on
Notes:
Diode Forward Voltage
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
––– ––– 1.3 V T J = 25°C, I S = 32A, V GS = 0V ?
––– ––– 0.50 V T J = 25°C, I S = 1.0A, V GS = 0V ?
––– 51 77 ns T J = 25°C, I F = 32A
––– 49 73 nC di/dt = 100A/μs ?
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 10 )
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
? Uses IRL3103 data and test conditions
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功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 30V, 54A TO-220AB, Transistor Polarity:N Channel, Continuous D
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